STL3N10F7

功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

制造商:stmicroelectronics

系列:DeepGATE?,STripFET? VII

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):408pF @ 25V

功率 - 最大值:2.4W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-PowerWDFN

供应商器件封装:PowerFlat?(2x2)

标准包装:1

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